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Monti, Desiree (2018) Study of the reliability of GaN-based optoelectronic devices: UV-LEDs and InGaN-based laser diodes. [Ph.D. thesis]

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Abstract (italian or english)

This thesis reports the main results obtained from the Ph.D. research activity of the candidate. The activity was focused on the study of the physical mechanisms responsible for the degradation of ultraviolet light emitting diodes (UV-LEDs) and InGaN-based laser diodes (LDs), in particular, we tried to understand the role of defects in the device degradation by means of advanced techniques such Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) and Photocurrent (PC) Spectroscopy.
The first part of the thesis will be dedicated to the work carried out on UV LEDs, in particular on four groups of UV-A LEDs, each of them with a different emission wavelength, and another group of (In)AlGaN-based UV-B LEDs. From this study, it was possible to demonstrate that UV LEDs submitted to constant current stress show a gradual degradation and this degradation has a strong dependence on the emission wavelength. The degradation process is ascribed to the generation of point defects within the active region of the device, causing an increase in the non-radiative recombination. Moreover, stress current level and temperature have a certain impact on the degradation. Regarding the UV-B LEDs, the analysis of the degradation of the optical power highlighted that degradation is related to an increase in the Shockley-Read-Hall (SRH) recombination. DLTS analysis and PC spectroscopy measurements allowed to identify a band of defects centered around 2.5 eV below the conduction band, close to the mid-gap, that can explain the increased SRH recombination. Moreover, DLTS measurements allowed to identify the signature of Mg-related acceptor traps. These UV-B LEDs present three parasitic bands ascribed to different processes. This section on the study of the degradation of AlGaN-based UV-B LEDs will be concluded with the investigation of the involved degradation mechanisms when the devices are submitted to a stress current level higher than the nominal value. The existence of two degradation mechanisms was demonstrated, and these have a significant impact on the relative amplitude of the main peak, related to the QW emission, and of the parasitic peak at ~340 nm, related to the electron overflow towards the last quantum barrier. The second part of thesis will be focused on the work carried out on a group of InGaN-based LDs with a nominal emission wavelength around 418 nm and another group with emission wavelength between 422-426 nm. The analysis carried out on the first group of samples has the aim to study the relation between the degradation and the presence of defects in these devices when submitted to constant current stress. We were able to show that constant current stress induces an increase in the threshold current of the devices, instead, from the capacitance-temperature measurements, it was possible to identify two main defects, which physical origin, studied by means of DLTS, could be related to acceptor-like defects, associated with dislocation. To conclude the study, the results obtained from the analysis carried out on three group of InGaN-based LEDs with different dislocation density, in order to have a better comprehension of the impact of dislocation on the degradation and generation of defects, will be presented. DLTS analysis was carried out before and after the stress and allowed to identify the presence of a hole trap in each sample, whose concentration increases with the dislocation density, together with an electron trap generated after the stress, probably related to the dislocation density. Moreover, devices submitted to constant current stress showed a significant decrease in their optical power, not related exclusively to the dislocation density.

Abstract (a different language)

Questa tesi riporta i principali risultati ottenuti dal candidato durante la sua attività di ricerca. Il lavoro si è focalizzato sullo studio dei meccanismi fisici responsabili del degrado di diodi ad emissione di luce ultravioletta (UV-LED) e di diodi laser basati su InGaN (LDs), in particolare, si è cercato di capire il ruolo dei difetti nel degrado del dispositivo mediante tecniche avanzate come Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) e la spettroscopia di fotocorrente (PC). La prima parte della tesi sarà dedicata al lavoro svolto sui LED UV, in particolare su quattro gruppi di LED UV-A, ciascuno con una diversa lunghezza d'onda di emissione, e un altro gruppo di LED UV-B in (In)AlGaN. Da questo studio è stato possibile dimostrare che i LED UV sottoposti a stress a corrente costante mostrano un degrado graduale e tale degrado ha una forte dipendenza dalla lunghezza d'onda di emissione. Questo processo è dovuto alla generazione di difetti puntiformi all'interno della regione attiva del dispositivo, che causa un aumento della ricombinazione non-radiativa. Anche il livello di corrente e la temperatura di stress hanno un certo impatto sulla degradazione. Per quanto riguarda i LED UV-B, l'analisi del degrado della potenza ottica ha evidenziato che questo degrado è correlato ad un aumento della ricombinazione Shockley-Read-Hall (SRH). Le misure di analisi di DLTS e della fotocorrente hanno permesso di identificare una banda di difetti centrata intorno a 2,5 eV sotto la banda di conduzione, circa a metà band-gap, che può spiegare l'aumento della ricombinazione SRH. Inoltre, le misure di DLTS hanno permesso di identificare la presenza di trappole di tipo accettore relative al magnesio. Questi LED UV-B presentano tre bande parassite attribuite a diversi processi. Questa sezione si conclude con lo studio dei meccanismi di degrado coinvolti quando i dispositivi sono sottoposti a un livello di corrente di stress superiore al valore nominale. Si è dimostrata l'esistenza di due meccanismi di degrado, che presentano un impatto significativo sull'ampiezza relativa del picco principale, correlato all'emissione dalle buche quantiche, e del picco parassita a ~ 340 nm, correlato all’overflow di elettroni verso l'ultima barriera quantica. La seconda parte della tesi sarà incentrata sul lavoro svolto su un gruppo di diodi laser basati su InGaN con una lunghezza d'onda di emissione nominale intorno a 418 nm e un altro gruppo con lunghezza d'onda di emissione tra 422-426 nm. L'analisi effettuata sul primo gruppo di campioni ha lo scopo di studiare la relazione tra il degrado e la presenza di difetti in questi dispositivi quando sottoposti a stress a corrente costante. Si è dimostrato che lo stress induce un aumento della corrente di soglia dei dispositivi, invece, dalle misure di capacità-temperatura, è stato possibile identificare due difetti principali, la cui origine fisica, studiata per mezzo del DLTS, potrebbe essere correlata a difetti di tipo accettatore, associati a dislocazioni. Per concludere lo studio, si presenteranno i risultati ottenuti dall'analisi effettuata su tre gruppi di LED basati su InGaN con diversa densità di dislocazione, al fine di avere una migliore comprensione dell'impatto delle dislocazioni sul degrado e la generazione di difetti. L'analisi DLTS, effettuata prima e dopo lo stress, ha permesso di identificare la presenza di una trappola per lacune in ogni campione, la cui concentrazione aumenta con la densità di dislocazioni, insieme ad una trappola per elettroni generata dopo lo stress, probabilmente sempre correlata alla densità di dislocazioni. Inoltre, i dispositivi sottoposti a stress a corrente costante hanno mostrato una significativa riduzione della loro potenza ottica, non correlata esclusivamente alla densità di dislocazioni.

EPrint type:Ph.D. thesis
Tutor:Meneghini, Matteo
Ph.D. course:Ciclo 31 > Corsi 31 > INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE
Data di deposito della tesi:15 May 2019
Anno di Pubblicazione:20 September 2018
Key Words:GaN, UV-LEDs, InGaN-based laser diodes
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Struttura di riferimento:Dipartimenti > Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione
Codice ID:11921
Depositato il:08 Nov 2019 10:01
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