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Gasperin, Alberto (2008) Advanced Non-Volatile Memories: Reliability and Ionizing Radiation Effects. [Tesi di dottorato]

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Abstract (inglese)

Reliability study and investigation of ionizing radiation effects on advanced non-volatile memories. The memories addressed in this thesis are: nanocrystal memories, Phase Change Memories (PCM), and the Oxide-Nitride-Oxide stack.
In the thesis there is also a brief description of the major interaction mechanisms between ionizing particles and electronic devices.


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Tipo di EPrint:Tesi di dottorato
Relatore:Paccagnella, Alessandro
Dottorato (corsi e scuole):Ciclo 21 > Scuole per il 21simo ciclo > INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE > INGEGNERIA INFORMATICA ED ELETTRONICA INDUSTRIALI
Data di deposito della tesi:11 Dicembre 2008
Anno di Pubblicazione:2008
Parole chiave (italiano / inglese):Ionizing radiation, memory, non-volatile, reliability, Flash memories, ONO, Phase Change Memories, Nanocrystal memories.
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Struttura di riferimento:Dipartimenti > Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione
Codice ID:1297
Depositato il:11 Dic 2008
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Bibliografia

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