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Danesin, Francesca (2008) Stress, Overstress and Strain on AlGaN/GaN HEMT Devices. [Tesi di dottorato]

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Abstract (inglese)

Defence radar and wireless communication systems have a drastic need for increased rf performance for high power, high efficiency, high linearity and low-cost monolithic amplifiers operating in the 1-40 GHz frequency range. Semiconductor devices based on Silicon (Si) or Gallium Arsenide (GaAs) are currently used for the fabrication of communication systems but they are not able to deal with the continuous increase in demand for microwave power performances: those devices are very close to their limit, working with a poor efficiency and requiring large cooling systems. Therefore Gallium nitride-based devices are becoming extremely attractive for a wide range of applications, from optoelectronics to power electronics. In particular, High Electron Mobility Transistors (HEMT) are emerging as a key technology for rf and microwave amplifiers, but their stability and reliability is still one of the main issue that has to be solved in order to achieve production level quality devices.

Abstract (italiano)

I sistemi di comunicazione di ultima generazione, basati su amplificatori che operano a frequenze tra gli 1 ed i 40 GHz, necessitano di prestazioni rf sempre più spinte per quel che riguarda la potenza, l’efficienza, la linearità ed il basso costo. I semiconduttori basati sul Silicio (Si) o sull’ Arseniuro di Gallio (GaAs) che sono abitualmente utilizzati per la costruzione di sistemi di comunicazione non sono in grado di soddisfare la domanda continua e crescente di prestazioni di potenza alle microonde. Questo tipo di dispositivi sono vicini al limite delle proprie prestazioni, lavorano con bassa efficienza e richiedono sistemi di raffreddamento di grandi dimensioni. I dispositivi basati su Nitruro di Gallio stanno quindi diventando interessanti per un gran numero di applicazioni: dalla optoelettronica all’ elettronica di potenza. In particolare i transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) si sono rivelati promettenti per gli amplificatori a microonde ma la loro stabilità e affidabilità sono ancora uno dei problemi da risolvere per ottenere un prodotto commercializzabile e pronto per il mercato.

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Tipo di EPrint:Tesi di dottorato
Relatore:Meneghesso, Gaudenzio
Dottorato (corsi e scuole):Ciclo 21 > Scuole per il 21simo ciclo > INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE > INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE TELECOMUNICAZIONI
Data di deposito della tesi:27 Gennaio 2009
Anno di Pubblicazione:2008
Parole chiave (italiano / inglese):AlGaN/GaN HEMT transistor stress storage TLP
Settori scientifico-disciplinari MIUR:Area 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione > ING-INF/01 Elettronica
Struttura di riferimento:Dipartimenti > Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione
Codice ID:1485
Depositato il:27 Gen 2009
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Bibliografia

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